Multi-terminal memtransistors, fabricating methods and applications of same
WO2019125994
Art A1
27. Juni 2019
Anmelder: NORTHWESTERN UNIVERSITY 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019125994
- Aktenzeichen
- EP18891519
- Anmeldetag
- 17. Dezember 2018
- Veröffentlichung
- 27. Juni 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L45/00G06N3/063
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NORTHWESTERN UNIVERSITY
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Northwestern University
Private US-amerikanische Universität mit Hauptsitz in Evanston, Illinois, bekannt für Forschung in Ingenieurwissenschaften, Medizin und Materialwissenschaften.
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