Silicon nanotube, negative-capacitance transistor with ferroelectric layer and method of making

WO2019130127 Art A1 4. Juli 2019

Anmelder: KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 🇸🇦

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019130127
Aktenzeichen: EP18814691
Anmeldetag: 15. November 2018
Veröffentlichung: 4. Juli 2019
Rechtsraum: WO
IPC: B82Y10/00H01L29/775H01L29/06H01L29/423H01L29/66H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
Land: 🇸🇦 Saudi-Arabien

🇸🇦 KAUST

Saudi-arabische Forschungsuniversität in Thuwal am Roten Meer, gegründet 2009, mit Schwerpunkten in Ingenieurwissenschaften, Materialforschung und angewandten Naturwissenschaften.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von