Nitride semiconductor device and method for producing same

WO2019130546 Art A1 4. Juli 2019

Anmelder: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019130546
Aktenzeichen: EP17935890
Anmeldetag: 28. Dezember 2017
Veröffentlichung: 4. Juli 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338H01L29/778H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Electric

Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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