Nitride semiconductor element and nitride semiconductor element production method

WO2019130805 Art A1 4. Juli 2019

Anmelder: NIKKISO CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019130805
Aktenzeichen: EP18895550
Anmeldetag: 31. Oktober 2018
Veröffentlichung: 4. Juli 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/32H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NIKKISO CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nikkiso

Nikkiso ist ein japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Tokio, das Pumpen, Energietechnik und medizinische Geräte wie Dialysesysteme herstellt. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit, ergänzt um Mess- und Prüftechnik sowie Halbleiterbauelemente. Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2025 ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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