Nitride semiconductor device

WO2019131546 Art A1 4. Juli 2019

Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019131546
Aktenzeichen: EP18894823
Anmeldetag: 21. Dezember 2018
Veröffentlichung: 4. Juli 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338H01L21/336H01L29/778H01L29/78H01L29/786H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ROHM CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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