Split-gate memory cell with field-enhanced source junctions, and method of forming such memory cell
WO2019133332
Art A1
4. Juli 2019
Anmelder: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019133332
- Aktenzeichen
- EP18833141
- Anmeldetag
- 18. Dezember 2018
- Veröffentlichung
- 4. Juli 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/423H01L29/788
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Microchip Technology
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Chandler, Arizona, bekannt für Mikrocontroller und analoge Halbleiterbauelemente.
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Fachgebiete
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