P-type thin film transistor and preparation method therefor

WO2019134257 Art A1 11. Juli 2019

Anmelder: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019134257
Aktenzeichen: EP18898644
Anmeldetag: 14. März 2018
Veröffentlichung: 11. Juli 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/786H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 China Star Optoelectronics (CSOT)

Chinesischer Displayhersteller mit Sitz in Shenzhen, Tochtergesellschaft des TCL-Konzerns. CSOT entwickelt und produziert LCD- und OLED-Panels für Fernseher, Monitore und mobile Endgeräte.

14.706 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von