High-k gate insulator for a thin-film transistor

WO2019135832 Art A1 11. Juli 2019

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019135832
Aktenzeichen: EP18897931
Anmeldetag: 20. November 2018
Veröffentlichung: 11. Juli 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/768H01L21/3205

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

10.780 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von