Magnetoresistance effect element and magnetic memory

WO2019138778 Art A1 18. Juli 2019

Anmelder: TOHOKU UNIVERSITY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019138778
Aktenzeichen: EP18900345
Anmeldetag: 14. Dezember 2018
Veröffentlichung: 18. Juli 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8239H01L27/105H01L29/82H01L43/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOHOKU UNIVERSITY
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tohoku University

Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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