Mis type semiconductor device, method for producing same, and sputtering target which is used for production of same

WO2019142581 Art A1 25. Juli 2019

Anmelder: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2019142581
Aktenzeichen
EP18901326
Anmeldetag
19. Dezember 2018
Veröffentlichung
25. Juli 2019
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/314C23C14/06C23C14/34H01L21/336H01L29/78
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 National Institute for Materials Science

Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.

995 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

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