Semiconductor device, and method for manufacturing same
WO2019142722
Art A1
25. Juli 2019
Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019142722
- Aktenzeichen
- EP19741152
- Anmeldetag
- 10. Januar 2019
- Veröffentlichung
- 25. Juli 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L21/205H01L21/316H01L21/336H01L29/12H01L29/739
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ROHM CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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