Corrosion-resistant conductive film, and pulsed bias voltage alternate magnetron sputtering deposition method and application thereof

WO2019144853 Art A1 1. August 2019

Anmelder: Shanghai Jiao Tong University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019144853
Aktenzeichen: EP19743577
Anmeldetag: 21. Januar 2019
Veröffentlichung: 1. August 2019
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/35H01M8/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Shanghai Jiao Tong University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Shanghai Jiao Tong University

Die Shanghai Jiao Tong University ist eine der führenden chinesischen Universitäten mit breiter Forschung in Technik, Medizin und Naturwissenschaften. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie Software und Datenverarbeitung, ergänzt durch Pharma und Biotechnologie sowie Nachrichtentechnik. Anmeldungen reichen von 2003 bis 2025.

644 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von