Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements
WO2019145216
Art A1
1. August 2019
Anmelder: OSRAM OLED GmbH 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019145216
- Aktenzeichen
- EP19701195
- Anmeldetag
- 17. Januar 2019
- Veröffentlichung
- 1. August 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/00H01L21/02H01L33/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- OSRAM OLED GmbH
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
OSRAM
Deutsches Unternehmen für Lichttechnik mit Sitz in München, spezialisiert auf LED-Halbleiterlichtquellen, optische Halbleiter und Automobilbeleuchtung.
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