Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements

WO2019145216 Art A1 1. August 2019

Anmelder: OSRAM OLED GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2019145216
Aktenzeichen
EP19701195
Anmeldetag
17. Januar 2019
Veröffentlichung
1. August 2019
Rechtsraum
WO
IPC
H01L33/00H01L21/02H01L33/12
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
OSRAM OLED GmbH
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 OSRAM

Deutsches Unternehmen für Lichttechnik mit Sitz in München, spezialisiert auf LED-Halbleiterlichtquellen, optische Halbleiter und Automobilbeleuchtung.

3.348 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen