Method for electrochemically etching a semiconductor structure

WO2019145728 Art A1 1. August 2019

Anmelder: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD 🇬🇧

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019145728
Aktenzeichen: EP19702960
Anmeldetag: 25. Januar 2019
Veröffentlichung: 1. August 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3063H01L33/00H01S5/183

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD
Land: 🇬🇧 Großbritannien

🇬🇧 Cambridge Enterprise

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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