Amphoteric p-type and n-type doping of group iii-vi semiconductors with group-iv atoms

WO2019147602 Art A1 1. August 2019

Anmelder: NORTHWESTERN UNIVERSITY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019147602
Aktenzeichen: EP19744195
Anmeldetag: 23. Januar 2019
Veröffentlichung: 1. August 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/02H01L31/0232H01L31/0264

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NORTHWESTERN UNIVERSITY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Northwestern University

Private US-amerikanische Universität mit Hauptsitz in Evanston, Illinois, bekannt für Forschung in Ingenieurwissenschaften, Medizin und Materialwissenschaften.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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