Nitride capping layer for spin torque transfer (stt)-magnetoresistive random access memory (mram)
WO2019147924
Art A1
1. August 2019
Anmelder: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. 🇹🇼
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019147924
- Aktenzeichen
- EP19704950
- Anmeldetag
- 25. Januar 2019
- Veröffentlichung
- 1. August 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L43/08H01L43/10H01L43/12G11C11/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
- Land
- 🇹🇼 Taiwan
🇹🇼
Taiwan Semiconductor Manufacturing
Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC) ist der weltweit größte reine Halbleiter-Auftragsfertiger mit Sitz in Hsinchu, Taiwan. Der weit überwiegende Teil des Patentportfolios betrifft Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Datenspeicherung und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen durchgehend von 2000 bis 2022.
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