Back-gate field-effect transistors and methods for making the same

WO2019148170 Art A2 1. August 2019

Anmelder: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019148170
Aktenzeichen: EP19744132
Anmeldetag: 29. Januar 2019
Veröffentlichung: 1. August 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/15

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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