Low-temperature polycrystalline silicon thin-film transistor, and manufacturing method thereof
WO2019148592
Art A1
8. August 2019
Anmelder: WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DIS 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019148592
- Aktenzeichen
- EP18903842
- Anmeldetag
- 12. März 2018
- Veröffentlichung
- 8. August 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/12H01L21/336H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DIS
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
China Star Optoelectronics (CSOT)
Chinesischer Displayhersteller mit Sitz in Shenzhen, Tochtergesellschaft des TCL-Konzerns. CSOT entwickelt und produziert LCD- und OLED-Panels für Fernseher, Monitore und mobile Endgeräte.
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