Dual-channel topological insulator structure, preparation method and method for generating quantum spin hall effect

WO2019148761 Art A1 8. August 2019

Anmelder: TSINGHUA UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019148761
Aktenzeichen: EP18904477
Anmeldetag: 27. Juni 2018
Veröffentlichung: 8. August 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L43/06H01L43/04H01L43/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TSINGHUA UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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