Method of patterning at least a layer of a semiconductor device

WO2019149586 Art A1 8. August 2019

Anmelder: ASML NETHERLANDS B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019149586
Aktenzeichen: EP19700831
Anmeldetag: 23. Januar 2019
Veröffentlichung: 8. August 2019
Rechtsraum: WO
IPC: G03F9/00H01L23/544

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ASML NETHERLANDS B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 ASML

Niederländisches Unternehmen, das Lithografiesysteme und weitere Anlagen für die Halbleiterfertigung entwickelt und herstellt, zentral für die Chipindustrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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