Vertical 1t ferroelectric memory cells, memory arrays and methods of forming the same
WO2019152087
Art A1
8. August 2019
Anmelder: SANDISK TECHNOLOGIES LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019152087
- Aktenzeichen
- EP18903590
- Anmeldetag
- 19. November 2018
- Veröffentlichung
- 8. August 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/11502H01L27/11556H01L27/11582
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SANDISK TECHNOLOGIES LLC
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
SanDisk
US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.
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