Method for manufacturing a semiconductor on insulator type structure by layer transfer

WO2019155081 Art A1 15. August 2019

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019155081
Aktenzeichen: EP19704012
Anmeldetag: 12. Februar 2019
Veröffentlichung: 15. August 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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