Semiconductor devices with two iii oxide layers having different phases and method of production

WO2019155444 Art A1 15. August 2019

Anmelder: KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 🇸🇦

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019155444
Aktenzeichen: EP19711164
Anmeldetag: 12. Februar 2019
Veröffentlichung: 15. August 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/36H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
Land: 🇸🇦 Saudi-Arabien

🇸🇦 KAUST

Saudi-arabische Forschungsuniversität in Thuwal am Roten Meer, gegründet 2009, mit Schwerpunkten in Ingenieurwissenschaften, Materialforschung und angewandten Naturwissenschaften.

956 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von