High Energy Ion Implantation For Junction Isolation in Silicon Carbide Devices

WO2019156761 Art A1 15. August 2019

Anmelder: GENERAL ELECTRIC COMPANY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019156761
Aktenzeichen: EP19751563
Anmeldetag: 7. Januar 2019
Veröffentlichung: 15. August 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/82H01L21/76H01L21/02H01L29/78H01L27/092H01L21/324

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: GENERAL ELECTRIC COMPANY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 General Electric

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Massachusetts. Historisch aktiv in Energieerzeugung, Luftfahrttriebwerken, Medizintechnik und Industrietechnik über verschiedene Geschäftsbereiche.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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