Silicon single crystal wafer heat processing method

WO2019159539 Art A1 22. August 2019

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019159539
Aktenzeichen: EP18906355
Anmeldetag: 25. Dezember 2018
Veröffentlichung: 22. August 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/324C30B29/06C30B33/02H01L21/322

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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