Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

WO2019159680 Art A1 22. August 2019

Anmelder: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA, KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO, DENSO CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019159680
Aktenzeichen: EP19705830
Anmeldetag: 29. Januar 2019
Veröffentlichung: 22. August 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L21/04H01L29/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO
DENSO CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toyota Motor Corporation

Japanischer Automobilhersteller mit Sitz in Toyota City, gegründet 1937. Entwickelt und produziert Pkw, Nutzfahrzeuge, Hybrid- und Wasserstoffantriebe sowie zugehörige Fahrzeugtechnologien.

22.464 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho

Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho, bekannt als Toyota Central R&D Labs, ist die zentrale Forschungseinrichtung des japanischen Toyota-Konzerns. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Metallurgie und Verfahrenstechnik, ergänzt um Werkstoffchemie und Antriebstechnik. Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2025 ab.

431 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Denso

Japanischer Automobilzulieferer mit Sitz in Kariya (Präfektur Aichi). Denso entwickelt Antriebs, Klima, Sicherheits und Elektroniksysteme für Fahrzeuge sowie Komponenten für Elektromobilität, Fahrerassistenz und Halbleitertechnik.

13.234 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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