Magnetoresistive effect element and magnetic memory

WO2019159962 Art A1 22. August 2019

Anmelder: TOHOKU UNIVERSITY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2019159962
Aktenzeichen
EP19754978
Anmeldetag
13. Februar 2019
Veröffentlichung
22. August 2019
Rechtsraum
WO
IPC
H01L29/82G11C11/16H01L21/8239H01L27/105H01L43/08
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
TOHOKU UNIVERSITY
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Tohoku University

Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.

837 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen