Semiconductor device

WO2019160086 Art A1 22. August 2019

Anmelder: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY, HITACHI, LTD., FUJI ELECTRIC CO., LTD., MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019160086
Aktenzeichen: EP19755076
Anmeldetag: 15. Februar 2019
Veröffentlichung: 22. August 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L29/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
HITACHI, LTD.
FUJI ELECTRIC CO., LTD.
MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

147 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

16.329 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

1.450 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Mitsubishi Electric

Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.

18.870 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von