Method of reducing semiconductor substrate surface unevenness

WO2019164449 Art A1 29. August 2019

Anmelder: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY, NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY, NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019164449
Aktenzeichen: EP19756512
Anmeldetag: 19. Februar 2019
Veröffentlichung: 29. August 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/302B24B1/00C09G1/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY
NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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🇸🇬 Nanyang Technological University

Die Nanyang Technological University ist eine staatliche Forschungsuniversität in Singapur, die in den Bereichen Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologie international hoch angesehen ist.

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🇸🇬 National University of Singapore

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