Memristor fabrication method, memristor and resistive random access memory rram
WO2019174032
Art A1
19. September 2019
Anmelder: SHENZHEN GOODIX TECHNOLOGY CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019174032
- Aktenzeichen
- EP18910174
- Anmeldetag
- 16. März 2018
- Veröffentlichung
- 19. September 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L45/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHENZHEN GOODIX TECHNOLOGY CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Goodix Technology
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Shenzhen, spezialisiert auf Fingerabdrucksensoren, Touch-Controller und Sicherheitschips für mobile Endgeräte.
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