Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

WO2019175921 Art A1 19. September 2019

Anmelder: FUJITSU LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019175921
Aktenzeichen: EP18909772
Anmeldetag: 12. März 2018
Veröffentlichung: 19. September 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8234H01L21/336H01L27/088H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJITSU LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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