Semiconductor device

WO2019176810 Art A1 19. September 2019

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019176810
Aktenzeichen: EP19767067
Anmeldetag: 8. März 2019
Veröffentlichung: 19. September 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/739H01L21/8234H01L27/06H01L27/07H01L29/12H01L29/78H01L29/861H01L29/868

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von