Radiation-resistant unit mosfet robust against single event effect and total ionization effect

WO2019177210 Art A1 19. September 2019

Anmelder: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019177210
Aktenzeichen: EP18910008
Anmeldetag: 13. August 2018
Veröffentlichung: 19. September 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/423H01L29/49H01L21/8234

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 KAIST

Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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