Flash memory cell with dual erase modes for increased cell endurance

WO2019178050 Art A1 19. September 2019

Anmelder: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019178050
Aktenzeichen: EP19713318
Anmeldetag: 12. März 2019
Veröffentlichung: 19. September 2019
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/34G11C16/14G11C16/04H01L27/11521H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Microchip Technology

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Chandler, Arizona, bekannt für Mikrocontroller und analoge Halbleiterbauelemente.

1.426 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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