Semiconductor device having polysilicon field plate for power mosfets

WO2019178765 Art A1 26. September 2019

Anmelder: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019178765
Aktenzeichen: EP18910280
Anmeldetag: 21. März 2018
Veröffentlichung: 26. September 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L27/088H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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