Film formation method, method for manufacturing thin-film transistor, and thin-film transistor

WO2019181095 Art A1 26. September 2019

Anmelder: NISSIN ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019181095
Aktenzeichen: EP18910432
Anmeldetag: 7. Dezember 2018
Veröffentlichung: 26. September 2019
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/40C23C14/08C23C14/34H01L21/203H05H1/46

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NISSIN ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissin Electric

Nissin Electric ist ein japanischer Hersteller elektrischer Anlagen und Halbleiterfertigungsausrüstung mit Sitz in Kyoto. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleitertechnik und Metallurgie, ergänzt durch Schaltungs- und Energietechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2025.

274 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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