Tunnel field-effect transistor and method for designing same

WO2019182086 Art A1 26. September 2019

Anmelder: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019182086
Aktenzeichen: EP19771515
Anmeldetag: 22. März 2019
Veröffentlichung: 26. September 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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