Oxide-Based Flexible High Voltage Thin Film Transistor

WO2019183030 Art A1 26. September 2019

Anmelder: RUTGERS, THE STATE UNIVERSITY OF NEW JERSEY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019183030
Aktenzeichen: EP19715297
Anmeldetag: 19. März 2019
Veröffentlichung: 26. September 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/417H01L29/739H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: RUTGERS, THE STATE UNIVERSITY OF NEW JERSEY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Rutgers, The State University of New Jersey

Rutgers, The State University of New Jersey ist eine öffentliche US-Universität mit umfangreicher Forschung in Medizin und Naturwissenschaften. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie Pharma und organische Chemie, ergänzt durch Mess- und Softwarethemen. Anmeldungen sind von 2000 bis in die Gegenwart belegt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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