Formation of correlated electron material devices via dopant deposition and anneal
WO2019186117
Art A1
3. Oktober 2019
Anmelder: ARM LTD 🇬🇧
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019186117
- Aktenzeichen
- EP19715196
- Anmeldetag
- 21. März 2019
- Veröffentlichung
- 3. Oktober 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L45/00H01L27/24
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ARM LTD
- Land
- 🇬🇧 Großbritannien
🇬🇧
Arm
Britisches Unternehmen mit Sitz in Cambridge, das Prozessorarchitekturen und Halbleiter-IP entwickelt und lizenziert.
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