Power semiconductor device with a double gate structure

WO2019186126 Art A1 3. Oktober 2019

Anmelder: CAMBRIDGE ENTERPRISE LIMITED 🇬🇧

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019186126
Aktenzeichen: EP19714767
Anmeldetag: 25. März 2019
Veröffentlichung: 3. Oktober 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/739H01L29/10H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: CAMBRIDGE ENTERPRISE LIMITED
Land: 🇬🇧 Großbritannien

🇬🇧 Cambridge Enterprise

Technologietransfer- und Kommerzialisierungsgesellschaft der University of Cambridge (Großbritannien), die Erfindungen und Ausgründungen aus der Universitätsforschung vermarktet.

1.030 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von