Magnetoresistive element and magnetic memory

WO2019187800 Art A1 3. Oktober 2019

Anmelder: TOHOKU UNIVERSITY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2019187800
Aktenzeichen
EP19777880
Anmeldetag
19. Februar 2019
Veröffentlichung
3. Oktober 2019
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/8239H01L27/105H01L43/08H01L43/10
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
TOHOKU UNIVERSITY
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Tohoku University

Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.

837 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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