Magnetic tunnel junction device, method for manufacturing magnetic tunnel junction device, and magnetic memory
WO2019188203
Art A1
3. Oktober 2019
Anmelder: TOHOKU UNIVERSITY 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019188203
- Aktenzeichen
- EP19776201
- Anmeldetag
- 11. März 2019
- Veröffentlichung
- 3. Oktober 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8239H01L27/105H01L29/82H01L43/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOHOKU UNIVERSITY
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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Fachgebiete
Vertreten von
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