Semiconductor device

WO2019189885 Art A1 3. Oktober 2019

Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019189885
Aktenzeichen: EP19777567
Anmeldetag: 29. März 2019
Veröffentlichung: 3. Oktober 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/28H01L29/12H01L29/423H01L29/49H01L29/861H01L29/868

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ROHM CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von