Dry etch process landing on metal oxide etch stop layer over metal layer and structure formed thereby

WO2019191298 Art A1 3. Oktober 2019

Anmelder: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019191298
Aktenzeichen: EP19778241
Anmeldetag: 27. März 2019
Veröffentlichung: 3. Oktober 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/46

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

4.297 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von