Igzo active layer and preparation method for oxide thin film transistor

WO2019192084 Art A1 10. Oktober 2019

Anmelder: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019192084
Aktenzeichen: EP18913909
Anmeldetag: 22. Juni 2018
Veröffentlichung: 10. Oktober 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 China Star Optoelectronics (CSOT)

Chinesischer Displayhersteller mit Sitz in Shenzhen, Tochtergesellschaft des TCL-Konzerns. CSOT entwickelt und produziert LCD- und OLED-Panels für Fernseher, Monitore und mobile Endgeräte.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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