Radiation-tolerant three-dimensional unit mosfet hardened against single event effect and total ionizing dose effect

WO2019194380 Art A1 10. Oktober 2019

Anmelder: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019194380
Aktenzeichen: EP18913630
Anmeldetag: 12. Oktober 2018
Veröffentlichung: 10. Oktober 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/8234

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 KAIST

Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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