Method to fabricate thermally stable low k-finfet spacer

WO2019194983 Art A1 10. Oktober 2019

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019194983
Aktenzeichen: EP19781426
Anmeldetag: 21. März 2019
Veröffentlichung: 10. Oktober 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/768H01L29/66H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von