Modifying ferroelectric properties of hafnium oxide with hafnium nitride layers

WO2019195024 Art A1 10. Oktober 2019

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019195024
Aktenzeichen: EP19780570
Anmeldetag: 26. März 2019
Veröffentlichung: 10. Oktober 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/66H01L29/78H01L21/28H01L21/02H01L21/285H01L21/324H01L21/67C23C16/455

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von