X-ray detector based on silicon carbide single crystal and manufacturing method therefor

WO2019196050 Art A1 17. Oktober 2019

Anmelder: DALIAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019196050
Aktenzeichen: EP18914588
Anmeldetag: 12. April 2018
Veröffentlichung: 17. Oktober 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/115H01L31/0312A61B5/06

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: DALIAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Dalian University of Technology

Die Dalian University of Technology ist eine chinesische staatliche Universität mit breitem naturwissenschaftlich-technischem Forschungsprofil. Das Portfolio konzentriert sich auf Software und Datenverarbeitung sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Fertigungsverfahren und organische Chemie. Anmeldungen sind von 2004 bis in die Gegenwart belegt.

883 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Medizintechnik & Gesundheit

Vertreten von