Semiconductor device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor device
WO2019198182
Art A1
17. Oktober 2019
Anmelder: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019198182
- Aktenzeichen
- EP18914842
- Anmeldetag
- 11. April 2018
- Veröffentlichung
- 17. Oktober 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/66H01L21/265H01L21/322H01L21/336H01L29/78H01L29/861H01L29/868
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Electric
Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.
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